達到晶體生長的條件，子晶就從熔化物中慢慢被提起。生長過程開始于快速提拉子晶，以便使生長過程初期中子晶內的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶體的直徑增大。當達到所要求的直徑時，生長條件就穩定下來以保持該直徑。

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即使2014年的支出已呈大幅度增長態勢，前道fab廠的支出仍需在2014年增長至少49%，才能使得設備支出回到2007年的水平。此外，設備的支出計劃也取決于全球經濟的持續復蘇情況。SEMI全球集成電路制造廠觀測報告(SEMIWorldFabForecast)預測，2011年前道fab的支出額將略遜于2007年，達到423億美元。

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接下來硅錠被刻出一個小豁口或一個小平面，以顯示晶向。一旦通過檢查，就將硅錠切割成晶圓片。由于硅很硬，要用金剛石鋸來準確切割晶圓片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金剛石鋸也有助于減少對晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。

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