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flash閃存芯片

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Renasas存儲(chǔ)器  flash閃存芯片  R1Q4A3636CBB
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半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(semi-conductor memory)是一種以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒體的存儲(chǔ)器,內(nèi)存儲(chǔ)器就是由稱為存儲(chǔ)器芯片的半導(dǎo)體集成電路組成。

存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲(chǔ)器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料的存儲(chǔ)元,它可存儲(chǔ)一個(gè)二進(jìn)制代碼。由若干個(gè)存儲(chǔ)元組成一個(gè)存儲(chǔ)單元,然后再由許多存儲(chǔ)單元組成一個(gè)存儲(chǔ)器。 一個(gè)存儲(chǔ)器包含許多存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元可存放一個(gè)字節(jié)。每個(gè)存儲(chǔ)單元的位置都有一個(gè)編號(hào),即地址,一般用十六進(jìn)制表示。一個(gè)存儲(chǔ)器中所有存儲(chǔ)單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲(chǔ)容量。假設(shè)一個(gè)存儲(chǔ)器的地址碼由20位二進(jìn)制數(shù)(即5位十六進(jìn)制數(shù))組成,則可表示220,即1M個(gè)存儲(chǔ)單元地址。每個(gè)存儲(chǔ)單元存放一個(gè)字節(jié),則該存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量為1KB。


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記憶存儲(chǔ)器有兩大類,一種稱為靜態(tài)RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非???,是目前讀寫(xiě)最快的存儲(chǔ)設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級(jí)緩沖,二級(jí)緩沖。另一種稱為動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢,不過(guò)它還是比任何的ROM都要快,但從價(jià)格上來(lái)說(shuō)DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。     

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